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| 型号 |
FPTOR-EB-4P |
测量范围 |
0 |
| 重量 |
147 |
厂家 |
www.felles.cn/pvd.html |
电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动，也适用于中试生产。
考虑到“提离”工艺的具体特点，该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×?3“或6×?2”晶片的沉积。
(上述价格不一定准确，请您联系我们获得准确报价）
电子束蒸发系统特点
?工艺室由不锈钢制成，配有ConFlat密封件、集成壁水冷却和基于500 l/s强大离子泵的干式泵送系统
?系统设计在微波电子用半导体器件生产中得到了很好的验证
?采用专门开发的“掩模”技术，厚度不均匀性在直径达200 mm的基板支架上小于±2.5%
?通过在350-500mm范围内改变“基板到蒸发器”的距离来优化材料消耗的能力；特别是，工作距离为350 mm时，黄金消耗量为3÷4 g/μm
?基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接触电阻分别为0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm（在STE RTA100系统中接触退火后）
?开发了基于ITO薄膜的p-GaN透明接触
?铝沉积速率不低于60?/s
?W沉积速率不小于1?/s
从支架中心到钛层?180 mm（3×?3''晶圆）的厚度分布，在STE EB71（旋转，“掩模”技术）获得。
电子束蒸发系统规格参数
沉积腔体内剩余压力: <5×10-7Torr
达到预处理真空的时间（<5×10^-8Torr）: 不超过20min
离子束（离子能20~300eV): 可选配
加热处理晶圆数量：：500 （900可选）
沉积腔烘培温度： 150℃
同事处理晶圆： 6个@2英寸，3个@3英寸，1个@?100mm，?150mm，?200mm
电子束蒸发阴极功率：6KW
加速电压：8KV
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