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这款深能级瞬态谱仪DLTS是为检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态设计的深能级瞬态光谱仪器。
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深能级瞬态谱仪Deep Level Transient Spectroscopy,可以给出与陷阱有关的密度,热交叉选择，能级,空间分布等。通过监测半导体结在不同温度下的脉冲产生的电容、电流或电荷瞬变,可产生每个深度级别的光谱,每个深能级都有一个峰值。峰的高度与陷阱密度成正比，其符号允许区分少数和多数陷阱，并且温度轴上的峰的位置导致确定热发射和俘获（活化能和横截面）的基本参数。该方法的应用导致了新现象的发现，并为理解半导体器件的材料加工提供了独特的工具。
深能级瞬态谱仪DLTS特点
监测半导体电学性能的有效而灵敏方法
监测大块缺陷或界面缺陷
确定缺陷密度,活化能、热截面、空间分布、俘获率和发射率
适合样品类型：P-N结,肖特基二极管,MOS结构,LEDs,FETs,半导体激光器,高阻和半绝缘材料
高灵敏度：探测大量本体缺陷密度<<109atoms/cm3.
测量模式包括：C-V, C-T, I-V, I-T, DLTS, DDLTS, CCDLTS, DDLTS/CCDLTS, CTS, ITS, PICTS, QTS, Fast Pulse Interface, High Voltage Interface & Multiple Correlation.
模块化设计，方便用户植入新的功能
专有电容表提供3微秒响应时间，快速恢复过载和高抗泄漏电流。
自动抑制60dB电容
监测温度扫描过程中样品漏电
快速温度扫描：100k@8分钟
宽广温度范围：10K~800K
一次温度扫描中同时产生8个不同速率窗口的光谱
数字采集包括16位分辨率、1微秒采样增量、5年时间跨度和对平均瞬变次数无限制。
实验参数和过程控制
脉宽，脉冲幅值，脉冲周期和DC等
初始温度，最终温度，温度增量和扫描时间
数据采集速率和平均的循环数
存储，绘图，分析光谱相关商品
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