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| 型号 |
FPEH-M10x |
测量范围 |
0.1 |
| 激光波长 |
635 |
电源 |
220V |
| 加工定制 |
是 |
重量 |
125 |
| 厂家 |
www.felles.cn/qiaoqudu.html |
|
高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪M10x系列是E+H metrology测量硅片厚度和TTV厚度变化的仪器。它的分辨率高达10nm，可以在几秒钟内适应不同的厚度范围。在开始扫描晶圆之前，通过标准厚度量块自动重新校准。一对电容传感器对每个晶片上的四个径向轮廓（45度）进行采样。
高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪应用
晶圆研发,晶圆工艺鉴定,晶圆过程控制,晶圆厚度测量,晶圆TTV总厚度变化、
(上述价格不一定准确，请您联系我们获得准确报价）
高分辨率晶圆厚度和厚度变化测量仪M 10x规格
| 订购代码 | 晶圆直径 [mm] | 厚度变化TTV范围 | 厚度分辨率 | 空间分辨率 | 重复精度 | TTV精度 |
| M 102-6 | 100, 125, (4''-6'')
| 350,450,550,
650μm+/-50μm
| 10nm | 1mm | +/-20nm
(2sigma)
| +/-50nm |
| M 102-8 | 150, 200
(6''-8'')
| 500,600,700,
800μm,+/-50μm
| 10nm | 1mm | +/-20nm
(2sigma)
| +/-50nm |
| M 1012 | 200, 300 |
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| M 1018 | 300, 450 |
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M 102-6是一种测量中心厚度和晶圆厚度的晶圆测厚仪器,可测量100mm, 125mm和150mm直径硅片晶圆的厚度变化,厚度分辨率高达10纳米，可以在几秒钟内适应不同的厚度范围，可以处理300μm到700μm的总厚度范围。
M 102-8是用于150 mm和200 mm晶圆的晶圆测厚仪器。在开始扫描晶圆之前，这款晶圆测厚仪通过以下方式自动重新校准,使用标准测厚块，一对电容传感器
每个晶圆上有四个径向轮廓。其中一个剖面由200个局部厚度组成值，并相对于相邻轮廓偏移45度。
在测量过程中，晶圆放在四根柱子的顶部，这四根柱子是安装在移动台和可旋转圆桌上。晶片可以被带进这个手动或通过机器人定位。它由一组带有锥形端。这些会自动调整到所选的晶圆直径。真空夹持晶片的卡盘垫由Delrin制成，通常经过研磨，为了提供精que的静止平面.计算机发出启动命令后，真空吸盘被激活。根据选定的厚度范围，重新测量已知厚度四个量块之一的厚度产生零距离，即总距离在两个相互面对的电容传感器之间。然后是微处理器受控步进电机将晶片径向插入两个晶片之间的气隙
传感器。在第yi个测量位置，14位DAC测量晶片厚度，并补偿待测量的电子厚度信号这样，快速ADC只需对与之相关的信号变化进行采样参考点。这是连续进行的，不会停止晶圆的运动。之后传感器对返回原点位置后，最终测量量块再一次这个值和第yi个值之间的变化可以用来判断总体情况.
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