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| 品牌 |
HITACHI/日立 |
型号 |
FPBEN-DH-MCT12 |
| 半导体材料 |
砷化镓 |
封装方式 |
金属外壳封装 |
| 产地 |
www.felles.cn/tanceqi1.html |
厂家 |
www.felles.cn/tanceqi1.html |
这款HgCdTe光电探测器是低温冷却MCT光电二极管和2-12μm碲镉汞二极管,低温冷却碲镉汞对长波红外具有很高的响应性。HgCdTe光电探测器带有一个2x2mm有源区MCT光电二极管（2-12μm），使用专用的475超di噪声前置放大器模块在光导模式下工作。使用光学斩波输入，该HgCdTe光电探测器产生的信号zui好由496 DSP锁定放大器测量。在低温模式下运行提供了zui高的灵敏度和低噪声性能。
HgCdTe光电探测器提供了安装法兰与所有单色仪和附件兼容。
网页上的价格是参考价格，未必准确，准确的价格信息请联系我们索取。
HgCdTe光电探测器特点
良好的MWIR-LWIR 性能
光谱范围覆盖2-12μm
响应能力高
超di噪音
Dewar制冷,
8小时的Dewar保持时间
2x2mm有源区域
HgCdTe光电探测器规格参数
| 材料类型 | HgCdTe |
| 有效面积 | 2x2mm |
| 光谱范围 | 2-12μm |
| 工作模式 | 光电导/光敏 |
| Shunt Resistance | 100Ω |
| 峰值波长 | 10μm |
| 视场角 | 60度 |
| 检测能力 | 5 x 1010 cm.W1/2 .Hz-1/2 |
| 工作温度范围 | -20°C ~ +60°C |
| 连接头 | SMA |
| 兼容性 | 可根据配备法兰方便安装, 4 x M3 通孔 |
| 尺寸 | 64L x 64W x 133H (mm) |
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