IC半导体级 SIO2 二氧化层硅片 热氧化工艺 单氧双氧单双抛

　　低维材料在线商城可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片，质量优良；氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。

　　热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。

　　应用范围：

　　1，刻蚀率测定

　　2，金属打线测试

　　3，金属晶圆

　　4，电性绝缘层

　　产品名称：4英寸二氧化硅抛光硅片 （SiO2）

　　生长方式：直拉单晶（CZ） 热氧化工艺

　　直径与公差：100±0.4mm

　　掺杂类型：N型(掺磷、砷、锑) P型（掺硼）

　　晶向：<111>\<100>

　　电阻率：0.001-50(Ω?cm) 可按客户要求定制

　　工艺数据：平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)

　　现有规格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm

　　用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体

　　注：本商城提供多系列多规格的硅片，标价仅为一种规格，如需多种规格请与客服联系。