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| 品牌 |
筱晓光子 |
型号 |
GaSe |
| 货号 |
G80010032 |
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GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体
GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
技术参数
主要特性
| 复合物
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GaSe
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透光率, μm
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0.62 – 20
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非线性系数, pm/V
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d22 = 54 @10.6 μm
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对称度
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六方晶系, 6m2 point group
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晶胞参数, ?
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a=3.74, c=15.89
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典型反射系数
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10.6 μm 5.3 μm
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no=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966
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光学损伤阈值, MW/cm2
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1064 nm (t=10 ns)
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30
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离散角, °
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5.3 μm
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4.1
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应用
10.6 μm激光辐射二次谐波的产生
中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
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