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| 型号 |
VCSEL-795-0.13 |
运转方式 |
单模式 |
| 激励方式 |
电激励式 |
波段范围 |
近红外 |
总览
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，在P型DBR外表面制作金属接触层，形成欧姆接触，并在P型DBR上制作一个圆形出口，输出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20
应用
原子钟
磁力计
特点:
包装: 裸片
芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器
激光波长: 795 nm
辐射剖面: 单模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
额定值
Ta = 80°C
| 参数
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符号
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值
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操作/焊接温度 DC = 100%
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TS
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最小值 值
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-20°C 110°C
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储存温度
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Tstg
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最小值 值
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-40°C 125°C
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正向电流（保持单模） 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C
|
If
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值
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1.5 mA
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正向电流 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C
|
If
|
值
|
3mA
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反向电压
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不适合反向操作
| ||
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ESD耐电压 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
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VESD
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值
|
250 V
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注意:超出额定值范围的应力可能会对设备造成永jiu性损坏。
特点
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
| 参数
|
符号
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|
值
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正向电流
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VF
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典型值
|
1.8 V
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输出功率
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Φ
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典型值
|
0.13 mW
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阈值电流
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Ith
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典型值
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0.75 mA
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斜率效能
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SE
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典型值
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0.21 W / A
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单模抑制比
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SMSR
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最小值
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20 dB
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偏振消光比5)
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PER
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最小值
|
15 dB
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峰值波长
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λpeak-v
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最小值 典型值 值
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794.5 nm 795 nm 795.5 nm
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光谱线宽度
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Λlinewidth
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值
|
100 MHz
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调频调制带宽
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Fm
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最小值
|
3.4 GHz
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波长温度系数
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TCλ
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典型值
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0.055 nm / K
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半峰全宽处视场(50% of Φmax)
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φx φY
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典型值 典型值
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12° 12°
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1/e2处 视场
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φx φY
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典型值 典型值
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20° 20°
|
注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。
相对光谱发射 1)
辐射特征 1)
正向电流 1) 2)
光输出功率 1) 2)
尺寸图 3)
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