联系人：筱晓光子-关经理
邮箱：moli@microphotons.com
电话：13061644116
地址： 上海青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
| 型号 |
PH780DBR080CM |
半导体材料 |
硅Si |
| 封装方式 |
金属外壳封装 |
|
高功率单频激光二极管 780nm 180mw (高功率边发射激光器)
总览
PH780DBR系列高功率边发射激光器基于Photodigm先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单横向和纵向模式光束。端面经过钝化处理，具有高功率和高可靠性。该装置应用于以铷基光电材料的原子光谱学中。
中心波长780nm 输出功率180mW 技术参数
技术
DBR单频激光芯片
砷化铝镓量子阱（QW）AlGaAs QW 有源层
Epi设计，可靠性高
特征
多种封装样式可供选择
短脉冲长度下的脉冲操作，确保光谱稳定性
适用于 CW 应用的高功率
高斜率效率
额定参数
TC = 25°C时的连续波特性
操作注意事项
这些设备对静电敏感。操作模块时，必须使用接地工作区和防静电手环。务必储存在防静电容器中，所有导线短接在一起。
如何订购
产品型号示例:PH780DBR080CM。所有的功率输入都使用三位数的格式。请致电工厂对某些原子吸收线进行特殊性能选择和认证。蝶形封装只提供20mW的功率，不建议用于光谱学应用。请参阅Photodigm的应用说明，标题为 "光学反馈"
13061644116