ALPHLAS UPD超快光电探测器响应波段500-1690nm ,小于40ps上升沿时间,材料InGaAs
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (4x4mm High amp 高位置分辨率版本)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (4x4mm Low amp 高位置分辨率版本)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (4x4mm High amp)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (9x9mm High amp 高位置分辨率版本)
SpotOn Analog USB 激光位敏探测器PSD (9x9mm Low amp 高位置分辨率版本)
联系人:筱晓光子-关经理
邮箱:moli@microphotons.com
电话:13061644116
地址: 上海青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
| 型号 |
MP6514S |
数量 |
1 |
筱晓光子 InGaAs单光子阵列探测器组件 950~1650nm

MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。
技术参数
探测器面阵规格
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性能描述
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器件类型
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InGaAs APD
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阵列规模
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4x4
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像元大小
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100μm x 100μm
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光敏面大小[1]
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85μm x 85μm
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光窗
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石英光窗
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感光靶面至光窗外表面间距
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4mm (光窗厚度为1mm )
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注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。
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主要性能指标(Tc=22+3℃)
| 特性参数
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参数指标
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工作波长[1]
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0.95 ~ 1.65μm
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探测效率
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≥10% ( 1.57 +0.05μm)
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暗计数率
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≤10KHz
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时间抖动
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≤500ps
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死时间
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100 ~ 1000ns可调
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有效像元率
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100%
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注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。
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额定值
| 参数
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额定值
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单位
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工作温度范围Tc
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-40~+55
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°C
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贮存温度范围TSTG
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-40~+70
|
°C
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功耗P
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15
|
W
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输入偏置范围VR
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4.9~5.5
|
V
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静电放电敏感度ESD
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1000~2000
|
V
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质量可靠性保证
● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。
产品特点
●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm
●采用金属封装,器件质轻灵巧
●像元独立、自由运行
●像元可探测弱光子信号
●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调
通用参数
封装外形结构与尺寸(单位: mm )
电学接口
●电源输入: +5V
●数据输出类型: TTL
●控制命令接口: J63A-31
●电源输入接口类型: J30J
●数据输出接口类型: J63A-31
●外触发接口: SSMA
| 接口编号
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功能
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1
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SSMA-1:内同步信号输出
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2
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SSMA-2:外同步信号输入
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3
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J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口
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4
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J30J: +5V单电源供电
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产品应用
●透雾、霾、烟尘等测距
●近红外激光告警
●远距离激光测距
●远距离空间激光通信