宽带半导体光放大器1020nm 增益27dB PM980

宽带半导体光放大器1020nm 增益27dB PM980

价格 1.00
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 Innolume 德国
型号 SOA-1020-110-PM-27dB
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筱晓(上海)光子技术有限公司
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半导体激光器

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产品详情
型号

SOA-1020-110-PM-27dB

运转方式

可调谐式

  总览

  半导体光放大器(升压光放大器)是使用半导体提供增益介质的放大器。它们具有与法布里-珀罗激光二极管相似的结构,但在端面具有抗反射设计元素。最近的设计包括抗反射涂层以及倾斜的波导和窗口区域,可以将端面反射减少到低于 0.001%。由于这会造成腔体的功率损失大于增益,因此会阻止放大器充当激光器。

  高性能半导体光放大器在放大要远距离传输的(光)信号时特别有用,因为信号丢失的威胁很大。由于光信号被直接放大,之前转换为电信号变得多余,从而提高了传输效率。该技术通常用于 WDM 网络,用于功率分配和损耗补偿。

  由于我们的产品组合包括各种放大器,因此了解哪种 SOA 最适合相应的应用非常重要。我们列出了一些与我们各种产品的适用性相关的最重要的特性:

  增益(一般)参数增益以 dB 为单位突出显示信号放大强度。我们的 SOA 的增益范围为 20-48 dB。更高的增益与输出信号的功率直接相关。

  增益带宽 除了我们各自的半导体光放大器的一般波长外,增益带宽还定义了 SOA 可以有效覆盖的频谱以及可以放大哪些信号。我们提供 775-1285 nm 的放大器,带宽为 20-110 nm。

  饱和度 该参数很重要,因为它描述了zueida输出功率,对于我们的 SOA,其范围为 12-18 dBm。较高的输出功率通常是有利的,因为它增加了信号稳定性。

  噪声 半导体光放大器的噪声系数通常决定放大自发辐射 (ASE) 的功率。zueihao,这个值应该很低,因为 ASE 会扭曲放大。接近理想的噪音水平约为 5 分贝——由于技术限制,低于 3 分贝的值几乎无法实现

  型号参数

  产品特点:

  ? 高增益 (>27dB)

  宽带(970-1080nm)增益

  ? 强线性偏振

  ? RoHS 认证

  应用:

  ?扫频源,可调谐激光器

  ?升压光放大器

  ?光学前置放大器

  ?光学相干断层扫描(OCT)

  规格

  测试说明: 连续工作,芯片温度25°C,外壳安装在室温散热器上

  参数

  

  最小值

  

  典型值

  

  Max值

  

  单位

  

  工作电流(Iop)

  

  

  550

  

  600

  

  mA

  

  正向电压 @ Iop

  

  

  1.6

  

  1.8

  

  V

  

  增益

  

  小信号增益1 2

  

  27

  

  30

  

  

  dB

  

  增益平均波长1

  

  1005

  

  1020

  

  1035

  

  nm

  

  增益带宽1 @ -3dB

  

  90

  

  110

  

  

  nm

  

  增益饱和输出功率2 @ -3dB

  

  10

  

  15

  

  

  dBm

  

  噪声系数3 ***

  

  

  8

  

  

  dB

  

放大自发辐射

  每个端口的ASE光功率

  

  7

  

  10

  

  

  mW

  

  ASE平均波长

  

  1010

  

  1020

  

  1030

  

  nm

  

  ASE带宽@ -3dB

  

  90

  

  110

  

  

  nm

  

ASE频谱下降幅度

  

4 7 dB

  ASE 基态zueida位置

  ASE ground state maximum position

  

1030 1040 1050 nm

  ASE 激发态zueida位置

  ASE excited state maximum position

  

960 970 980 nm

  ASE**谱波纹3(RMS在1nm范围内,10pm分辨率)

  

  

  0.2

  

  0.5

  

  dB

  

  ASE 上升时间

  

  

  0.15

  

  

  ns

  

  ASE 下降时间

  

  

  0.5

  

  

  ns

  

  ASE每个端口的偏振消光比(PER)

  

  15

  

  20

  

  

  dB

  

  1 输入光功率为-25d

  2 在增益zueida波长处

  3 在ASE波长处

  juedueizueida额定参数

  

  参数

  

  最小值

  

  Max值

  

  单位

  

  SOA 反向电压

  

  -

  

  2

  

  V

  

  SOA 连续波正向电流

  

  -

  

  800

  

  mA

  

  输入光功率

  

  -

  

  20

  

  dBm

  

  热电冷却器电流

  

  -

  

  3

  

  A

  

  热电冷却器电压

  

  -

  

  4

  

  V

  

  光纤弯曲半径

  

  3

  

  -

  

  cm

  

  芯片工作温度范围

  

  10

  

  40

  

  °C

  

  外壳工作温度范围

  

  0

  

  70

  

  °C

  

  储存温度范围

  

  -40

  

  85

  

  °C

  

  典型性能

  仅供参考,测试条件:连续工作,芯片温度25°C,外壳安装在室温散热器上

搜狗截图20230411152155.png

搜狗截图20230411152232.png

售后服务

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