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| 型号 |
LD-1064-DBR-150 |
半导体材料 |
砷化镓 |
| 封装方式 |
金属外壳封装 |
|
总览
DBR激光器由多个部分组成：这包括增益部分和单独的DBR光栅。激光二极管上的波导结构需要根据特定波长提供反馈。该波导还部分用作放大介质。DBR 激光器是一种单频半导体激光管。
分布式反馈（DFB）和分布式布拉格反射器（DBR）激光二极管是发射极窄光谱线的光源，带宽低于5MHz，典型侧模抑制比（SMSR）>40dB。Innolume基于砷化镓的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子点（QD）活性区和专有芯片设计，覆盖970-1330nm光谱范围
型号参数
特征：
单模光纤外150mW输出功率
高可靠性Au/Sn技术
保偏PM980光纤
可选：根据要求提供外部光纤隔离器
可选：用于功率控制的监视器光电二极管
应用程序：
播种
气体传感
仪表/测量设备
| 规格 测试条件: CW operation, chip temperature 25°C,该模块安装在室温散热器上。
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|
参数
|
Symb.
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
Unit
|
|
输出功率
|
Pout
|
|
150
|
|
mW
|
|
中心波长
|
λP
|
1062
|
1064
|
1066
|
nm
|
|
* 光谱宽度@Pout
|
Δλ
|
|
3
|
|
MHz
|
|
波长温度系数
|
Δλ/ΔT
|
|
80
|
100
|
pm/°C
|
|
波长电流系数
|
Δλ/ΔI
|
|
3
|
5
|
pm/mA
|
|
边模抑制比@Pout
|
SMSR
|
35
|
40
|
|
dB
|
|
阈值电流
|
Ith
|
|
35
|
50
|
mA
|
|
工作电流@Pout
|
Iop
|
|
300
|
380
|
mA
|
|
正向电压@Pout
|
Vf
|
|
1.9
|
2.1
|
V
|
|
偏振消光比
|
PER
|
15
|
20
|
|
dB
|
|
建议的工作芯片温度（热敏电阻读数）
|
Top
|
15
|
25
|
40
|
°C
|
*使用9km延迟线的自外差方法进行估计
| 额定值
| |||
|
参数
|
Min.
|
Max.
|
Unit
|
|
激光二极管反向电压
|
|
1
|
V
|
|
激光二极管CW正向电流
|
|
500
|
mA
|
|
热电冷却器电流
|
|
3
|
A
|
|
热电冷却器电压
|
|
4
|
V
|
|
储存温度范围（原装密封包装）
|
5
|
80
|
°C
|
|
引线焊接温度（5秒）
|
|
250
|
°C
|
|
外壳工作温度范围
|
10
|
50
|
°C
|
13061644116