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| 品牌 |
Innolume 德国 |
型号 |
BOA-1060-80-PM-120mW |
| 材质 |
金属 |
|
总览
半导体光放大器（升压光放大器）是使用半导体提供增益介质的放大器。它们具有与法布里-珀罗激光二极管相似的结构，但在端面具有抗反射设计元素。最近的设计包括抗反射涂层以及倾斜的波导和窗口区域，可以将端面反射减少到低于 0.001%。由于这会造成腔体的功率损失大于增益，因此会阻止放大器充当激光器。
高性能半导体光放大器在放大要远距离传输的（光）信号时特别有用，因为信号丢失的威胁很大。由于光信号被直接放大，之前转换为电信号变得多余，从而提高了传输效率。该技术通常用于 WDM 网络，用于功率分配和损耗补偿。
由于我们的产品组合包括各种放大器，因此了解哪种 SOA 最适合相应的应用非常重要。我们列出了一些与我们各种产品的适用性相关的最重要的特性：
增益（一般）参数增益以 dB 为单位突出显示信号放大强度。我们的 SOA 的增益范围为 20-48 dB。更高的增益与输出信号的功率直接相关。
增益带宽 除了我们各自的半导体光放大器的一般波长外，增益带宽还定义了 SOA 可以有效覆盖的频谱以及可以放大哪些信号。我们提供 775-1285 nm 的放大器，带宽为 20-110 nm。
饱和度 该参数很重要，因为它描述了输出功率，对于我们的 SOA，其范围为 12-18 dBm。较高的输出功率通常是有利的，因为它增加了信号稳定性。
噪声 半导体光放大器的噪声系数通常决定放大自发辐射 (ASE) 的功率。，这个值应该很低，因为 ASE 会扭曲放大。接近理想的噪音水平约为 5 分贝——由于技术限制，低于 3 分贝的值几乎无法实现
型号参数
产品特点
高饱和输出功率20 dBm
低ASE水平和波纹
强线性偏振
符合RoHS
产品应用
扫频源，可调谐激光器
助推激光发射器
光学相干断层扫描（OCT）
| 推荐操作
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参数
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最小值
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典型值
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值
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单位
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电流
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400
|
500
|
mA
|
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正向电压
|
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1.6
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1.8
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V
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| 热敏电阻温度 | 20 | 25 | 30 | °C |
| GAIN @ CW, recommended operating point,
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|
参数
|
最小值
|
典型值
|
值
|
单位
|
|
输出功率1,2
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100
|
120
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|
mW
|
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平均波长2
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1040
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1060
|
1080
|
nm
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|
带宽2 @ 3dB
|
|
80
|
|
nm
|
|
小信号增益1,3
|
12
|
15
|
|
dB
|
|
饱和输出功率1 @ 3dB
|
17
|
20
|
|
dBm
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1 在增益波长处
2 在+10dBm输入信号
3 在-25dBm输入信号
| 放大自发辐射(ASE) 测试每个设备@ CW，推荐操作点，无输入光
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|
参数
|
最小值
|
典型值
|
值
|
单位
|
|
各端口采用光功率光纤
|
|
1.5
|
|
mW
|
|
平均波长
|
|
1015
|
|
nm
|
|
带宽 @ -3dB
|
|
25
|
|
nm
|
|
光谱的涟漪2 (RMS在1nm范围内，10pm分辨率)
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0.01
|
0.1
|
dB
|
|
每个端口的偏振消光比(PER)
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15
|
18
|
|
dB
|
|
ASE上升时间
|
|
0.5
|
|
ns
|
|
ASE下降时间
|
|
0.5
|
|
ns
|
在ASE值波长处
典型性能（仅供参考）
@CW，25°芯片温度，外壳安装在室温散热器上
| 不同电流下的功率谱 | 增益与输出功率 |
 |  |
| 不同输入信号下的输出功率 | 放大光信号的光谱 |
 |  |
| ASE LIV特性 | ASE光谱 |
 |  |
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