联系人：筱晓光子-关经理
邮箱：moli@microphotons.com
电话：13061644116
地址： 上海青浦区佳杰路99号长三角漕河泾绿洲智谷A5栋三楼
| 品牌 |
Crystran Ltd. 英国 |
型号 |
GA-W-25-3 |
| 货号 |
A80160178 |
|
总览
砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。
通用参数
产品特点
● 化学稳定性好
● 硬度高
● 抗恶劣环境能力很强
产品应用
● 太赫兹时域系统
● 太赫兹源窗片
● 科学实验室研究
● 远红外光学
● 高功率CO2激光器
● 热红外成像系统
● FLIR系统
参数
| 直径公差 | +0/-0.005“ （+0/-0.13 毫米） |
| 厚度公差 | ± 0.005英寸（±0.13毫米） |
| 通光孔径 | 85% |
| 排比 Parallelism | 3弧分(3 arc min) |
| 平整度 Flatness
|
10.6微米的1/10波 (1/10 wave at 10.6 microns)
|
| 表面光洁度 | 60/40 |
| 基板材料 | 砷化镓 |
| 传输范围：
|
1-16μm
|
|
折射率：
|
3.2727 @10.33μm
|
|
反射损失：
|
44％@10.33μm
|
|
吸收系数：
|
0.01cm-1
|
|
吸收峰：
|
n / a
|
|
dn / dT：
|
147×10-6/℃ @ 10μm for derivation
|
|
dn /dμ= 0：
|
6.3μm
|
|
密度：
|
5.315g/cm3
|
|
熔点：
|
1511℃
|
|
热导率：
|
48 W m-1K-1@273K
|
|
热膨胀：
|
5.7×10-6/℃@300K
|
|
硬度：
|
Knoop 750
|
|
比热容：
|
360 JKg-1K-1
|
|
介电常数：
|
在低频下为12.91
|
|
杨氏模量（E）：
|
84.8GPa
|
|
剪切模量（G）：
|
n / a
|
|
体积模量（K）：
|
75.5GPa
|
|
弹性系数：
|
n / a
|
|
表观弹性极限：
|
71.9 MPa
|
|
泊松比：
|
0.31
|
|
溶解性：
|
不溶于水
|
|
分子量：
|
144.64
|
|
类/结构：
|
立方ZnS，F43m，（100）裂解
|
折射率（O光）
| μm
|
No
|
μm
|
No
|
μm
|
No
|
|
1.033
|
3.492
|
1.550
|
3.3737
|
2.066
|
3.338
|
|
2.480
|
3.324
|
3.100
|
3.3125
|
4.133
|
3.3027
|
|
4.959
|
3.2978
|
6.199
|
3.2921
|
7.293
|
3.2874
|
|
8.266
|
3.2831
|
9.537
|
3.2769
|
10.33
|
3.2727
|
|
11.27
|
3.2671
|
12.40
|
3.2597
|
13.78
|
3.2493
|
|
15.50
|
3.2336
|
17.71
|
3.2081
|
19.07
|
3.1866
|
光谱透射曲线
| 订购型号
|
规格(D×L)(mm)
|
光谱范围
|
|
GAASP10-0.3
|
10.0×0.3mm
|
IR
|
|
GAASP25.4-2
|
25.4×2.0mm
|
IR
|
13061644116