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地址： 中国 上海 奉贤区扶港路1088号
| 型号 |
BZ-SIMI2939 |
货号 |
BZ-SIMI2939 |
| 材质 |
5 |
适用范围 |
BZ-SIMI2939半导体分立器件测试仪 |
| 加工定制 |
否 |
是否进口 |
否 |
| 产地 |
上海 |
|
BZ-SIMI2939半导体分立器件测试仪（升级型号CS2935）
、测试参数
1． 二极管 VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管 VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON4． 可控硅整流器（晶闸管） IGT、VGT、 IH、IL 、VTM 5． 场效应管 IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS6． 光电耦合器 VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT7．三端稳压器VO、SV、ID、IDV
可测封装（TO-247，TO-220，TO-92，TO-39，14脚以下DIP）
、测试参数范围
晶体管
| 测试参数
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测试范围
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|
ICEO ICES ICBO
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1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
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IEBO
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10uA-100uA 100uA-1mA 1mA-10mA 10mA-100mA
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|
VCE(sat) VBE(sat)
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0.10V-30V
|
|
VBE(VBE(on))
|
0.10V-30V
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|
hFE
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1－99999
|
|
V(BR)EBO
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0.10V-30V
|
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V(BR)CEO V(BR)CBO
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10V-30V 30V-1499V
|
二极管
| 测试参数
|
测试范围
|
|
IR
|
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
|
|
VF
|
0.10V-30V
|
|
V(BR)
|
1V-30V
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|
30V-1499V
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稳压二极管
| 测试参数
|
测试范围
|
|
IR
|
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
|
|
VF
|
0.10V-30V
|
|
VZ
|
0.10V-30V
|
三端稳压器
| 测试参数
|
测试范围
|
|
VO
|
0.10V-30V
|
|
SV
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0.10mV-1V
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|
ID
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1uA-1
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|
IDV
|
1uA-10mA
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MOSFET
| 测试参数
|
测试范围
|
|
VGS(th)
|
0.10V-30V
|
|
gfs
|
0.1mS-1000S
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|
RDS(on)
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10mΩ-100KΩ
|
|
VDS(on)
|
0.10V-30V
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|
IGSS
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1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
|
|
IDSS
|
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA 10mA-100mA
|
|
ID(on)
|
0-20A
|
|
V(BR)GSS
|
0.1V-30V
|
|
V(BR)DSS
|
0.1V-1499V
|
光耦
| 测试参数
|
测试范围
|
|
VF
|
0.10V-30V
|
|
IR
|
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
|
|
VCE(sat)
|
0.10V-30V
|
|
CTR
|
0.1%-1000%
|
|
ICEO
|
与IR参数相同
|
|
ICBO
|
与IR参数相同
|
|
V(BR)CBO V(BR)CEO
|
0.10V-30V
|
|
30V-1499V
|
可控硅
| 测试参数
|
测试范围
|
|
IGT
|
10uA-200mA
|
|
VGT
|
0.10V-30V
|
|
IH
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10uA-1A
|
|
IL
|
10uA-1A
|
|
VTM
|
0.10V-30V
|
15002100776