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| 型号 |
DMN62D0UDW |
封装形式 |
SMD |
| 导电类型 |
双极型 |
封装外形 |
扁平型 |
| 集成度 |
小规模(<50) |
特色服务 |
包邮/13%专票 |
| 包装 |
Tube/Reel |
数量 |
666 |
| 批号 |
2020+ROHS |
800868838 |
|
| 产地 |
TW |
厂家 |
美台 |
| 制造商: | Diodes Incorporated | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-363-6 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 2 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | 350 mA | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2 Ohms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 500 mV | |
| Qg-栅极电荷: | 0.5 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 410 mW | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 封装: | Reel | |
| 配置: | Dual | |
| 系列: | DMN62D0UDW | |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | |
| 商标: | Diodes Incorporated | |
| 正向跨导 - 最小值: | 1.8 S | |
| 下降时间: | 12.5 ns | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 2.5 ns | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 典型关闭延迟时间: | 22.6 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 2.4 ns | |
| 单位重量: | 7.500 mg |
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