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规格
| 产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
|---|---|---|
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-263-3 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 400 V | |
| Id-连续漏极电流: | 10 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 550 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | |
| Qg-栅极电荷: | 36 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 125 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 封装: | Reel | |
| 配置: | Single | |
| 高度: | 4.83 mm | |
| 长度: | 10.67 mm | |
| 系列: | IRF | |
| 宽度: | 9.65 mm | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 工厂包装数量: | 800 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 单位重量: | 1.438 g |
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