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| 型号 |
SQ2361AEES |
封装形式 |
SMD |
| 特色服务 |
专票、包邮、样品 |
包装 |
盘、管 |
| 数量 |
666 |
批号 |
2022+rohs |
|
8008688838 |
产地 |
china |
| 制造商: | Vishay |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
| Id-连续漏极电流: | 2.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 170 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷: | 10 nC |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 工作温度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 2 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商标名: | TrenchFET |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Vishay / Siliconix |
| 下降时间: | 4 ns |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 9 ns |
| 系列: | SQ2361AEES |
| 工厂包装数量: | 3000 |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 24 ns |
| 典型接通延迟时间: | 9 ns |
| 零件号别名: | SQ2361AEES-T1_GE3 |
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