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| 型号 |
IXFH6N120P |
封装形式 |
DIP |
| 特色服务 |
专票、包邮、样品 |
包装 |
盘、管 |
| 数量 |
666 |
批号 |
2022+rohs |
|
800868838 |
产地 |
china |
| 制造商: | IXYS | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 1.2 kV | |
| Id-连续漏极电流: | 6 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2.75 Ohms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 92 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 250 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | HiPerFET | |
| 封装: | Tube | |
| 商标: | IXYS | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 14 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 3 S | |
| 高度: | 21.46 mm | |
| 长度: | 16.26 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 11 ns | |
| 系列: | HiPerFET | |
| 工厂包装数量: | 30 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 类型: | Polar HiPerFET Power MOSFET | |
| 典型关闭延迟时间: | 60 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 24 ns | |
| 宽度: | 5.3 mm | |
| 单位重量: | 6 g |
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