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| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
BSM50GB170DN2 |
| 包装 |
盒装 |
零件状态 |
在售 |
| 封装 |
标准封装 |
批号 |
25+ |
| 数量 |
300 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
IGBT模块 |
RoHS |
是 |
| 配置 |
HalfBridge |
集电极—射极饱和电压 |
3.4V |
| 在25C的连续集电极电流 |
72A |
栅极—射极漏泄电流 |
320nA |
| Pd-功率耗散 |
500W |
封装/箱体 |
HalfBridge1 |
| 最小工作温度 |
-40C |
最大工作温度 |
+150C |
| 高度 |
30.5mm |
长度 |
94mm |
| 宽度 |
34mm |
安装风格 |
ChassisMount |
| 栅极/发射极最大电压 |
20V |
|
13411891327